- Furnace Process Development
- Gate oxide unit process Evaluation
- Junction Leakage Simulation
- CMOS Image Sensor Process
- Stress에 의한 TR Perfomance 개선

1) 경력 조건 ( 해당 부문 경력 3년 이상자 )
- Furnace Process Development PE
- Gate oxide unit Process Evaluation 유경험자
- Thin Film Stress 변경에 의한 TR Performance 개선 경험자
- CIS Device 관련 Diffusion Process 유경험자

2) 보유 지식 및 역량
- TEL Furnace 장비 이해 및 공정 이해
- Transistor 및 Diffusion Processs 이해
- RTP Process 이해
- 영어 TOEIC 점수 보유자

3) 남자 / 대리~과장급 / 이공계 학사이상 / 20대 후반~30대 중반

- 원서 마감후 1차(서류) 합격자에 한하여 개별연락
- 이력서에 연락처, 희망연봉 게재
- 해외여행에 결격 사유가 없는 자